NTD4909N-1G - аналоги и даташиты транзистора

 

NTD4909N-1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTD4909N-1G
   Маркировка: 4909N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 487 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK
 

 Аналог (замена) для NTD4909N-1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD4909N-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  onsemi
 ntd4909n-1g ntd4909n.pdf pdf_icon

NTD4909N-1G

NTD4909NPower MOSFET30 V, 41 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications8.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V 41 A12 mW @ 4.5 V DC-DC Conv

 6.1. Size:137K  onsemi
 ntd4909n.pdf pdf_icon

NTD4909N-1G

NTD4909NMOSFET Power, Single,N-Channel, DPAK/IPAK30 V, 41 AFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices8.0 mW @ 10 V30 V 41 A12 mW @ 4.5 VApplications CPU Power DeliveryD DC-

 8.1. Size:86K  onsemi
 ntd4904n.pdf pdf_icon

NTD4909N-1G

NTD4904NPower MOSFET30 V, 79 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications 3.7 mW @ 10 V30 V 79 A5.5 mW @ 4.5 V CPU Power Delivery DC-DC Conv

 8.2. Size:123K  onsemi
 ntd4906n.pdf pdf_icon

NTD4909N-1G

NTD4906NPower MOSFET30 V, 54 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications5.5 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V 54 A8.0 mW @ 4.5 V DC-DC Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTD4855N-1G , NTD4856N-1G , NTD4857N-1G , NTD4858N-1G , NTD4860N-1G , NTD4863N-1G , NTD4865N-1G , NTD4904N-1G , 5N60 , NTD4910N-1G , NTD4960N-1G , NTD4963N-1G , NTD4965N-1G , NTD4969N-1G , NTD4970N-1G , NTD50N03R , NTD5406NG .

History: NTD4865N-1G

 

 
Back to Top

 


 
.