NTD5406NG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTD5406NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD5406NG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTD5406NG даташит
ntd5406ng std5406nt4g.pdf
NTD5406N, STD5406N Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge AEC Q101 Qualified - STD5406N ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 8.7 m @ 10 V 70 A Applications Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-
ntd5406n.pdf
NTD5406N Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge These are Pb-Free Devices ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) Applications 40 V 8.7 m @ 10 V 70 A Electronic Brake Systems Electronic Power Steering Bridge Circuits N-Channel D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless
ntd5407ng std5407nt4g.pdf
NTD5407N, STD5407N Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge AEC Q101 Qualified - STD5407N ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 21 mW @ 10 V 38 A Applications Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Ch
ntd5407n.pdf
NTD5407N Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge These are Pb-Free Devices ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) Applications 40 V 21 mW @ 10 V 38 A Electronic Brake Systems Electronic Power Steering Bridge Circuits N-Channel D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless ot
Другие MOSFET... NTD4909N-1G , NTD4910N-1G , NTD4960N-1G , NTD4963N-1G , NTD4965N-1G , NTD4969N-1G , NTD4970N-1G , NTD50N03R , STF13NM60N , NTD5407NG , NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G , NTD5807NT4G .
History: IPB180N04S4L-H0 | HM1N50MR | IPD600N25N3 | 2SK2063 | CRTD030N04L | HM1N60R
History: IPB180N04S4L-H0 | HM1N50MR | IPD600N25N3 | 2SK2063 | CRTD030N04L | HM1N60R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g




