NTD5406NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTD5406NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD5406NG
NTD5406NG Datasheet (PDF)
ntd5406ng std5406nt4g.pdf

NTD5406N, STD5406NPower MOSFET40 V, 70 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge AEC Q101 Qualified - STD5406NID MAXV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 8.7 m @ 10 V 70 AApplications Electronic Brake Systems Electronic Power SteeringN-
ntd5406n.pdf

NTD5406NPower MOSFET40 V, 70 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1)Applications40 V 8.7 m @ 10 V 70 A Electronic Brake Systems Electronic Power Steering Bridge CircuitsN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless
ntd5407ng std5407nt4g.pdf

NTD5407N, STD5407NPower MOSFET40 V, 38 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge AEC Q101 Qualified - STD5407NID MAXV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 21 mW @ 10 V 38 AApplications Electronic Brake Systems Electronic Power SteeringN-Ch
ntd5407n.pdf

NTD5407NPower MOSFET40 V, 38 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1)Applications40 V 21 mW @ 10 V 38 A Electronic Brake Systems Electronic Power Steering Bridge CircuitsN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless ot
Другие MOSFET... NTD4909N-1G , NTD4910N-1G , NTD4960N-1G , NTD4963N-1G , NTD4965N-1G , NTD4969N-1G , NTD4970N-1G , NTD50N03R , IRF2807 , NTD5407NG , NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G , NTD5807NT4G .
History: MMBFJ111 | CMPDM7002AE | STP30NF20
History: MMBFJ111 | CMPDM7002AE | STP30NF20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g