PK502BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PK502BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
PK502BA Datasheet (PDF)
pk502ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK502BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 G30V 10.5m 41A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918