PK502BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK502BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK502BA
PK502BA Datasheet (PDF)
pk502ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK502BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 G30V 10.5m 41A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage
Другие MOSFET... 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P , HY3208M , HY3208B , HY3208PS , HY3208PM , MMIS60R580P , SP8M3 , SPP80N06S2-09 , SPB80N06S2-09 , SST4091 , SST4092 , SST4093 , SVF2N65F , TPHR8504PL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement


