NTD6416AN-1G - описание и поиск аналогов

 

NTD6416AN-1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD6416AN-1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для NTD6416AN-1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD6416AN-1G даташит

 ..1. Size:137K  onsemi
ntd6416an-1g.pdfpdf_icon

NTD6416AN-1G

NTD6416AN, NVD6416AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested AEC Q101 Qualified - NVD616AN ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) 100 V 81 mW @ 10 V 17 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value

 5.1. Size:129K  onsemi
ntd6416an nvd6416an.pdfpdf_icon

NTD6416AN-1G

NTD6416AN, NVD6416AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 17 A, 81 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 81 mW @ 10 V 17 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These De

 5.2. Size:141K  onsemi
ntd6416an.pdfpdf_icon

NTD6416AN-1G

NTD6416AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS ID MAX Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 100 V 81 mW @ 10 V 17 A Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source

 5.3. Size:149K  onsemi
ntd6416anl.pdfpdf_icon

NTD6416AN-1G

NTD6416ANL N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mW Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 100 V 74 mW @ 10 V 19 A Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 100 V D Gate-to-Source Voltage - Continuo

Другие MOSFET... UFZ24NL-TN3 , NTD5865N-1G , NTD5867NL-1G , NTD60N02R , NTD60N02R-035 , NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , IRFB4110 , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 .

History: FDS8876 | FDS4470 | SP3902 | SSPL2015F | AD90N03S | WMQ30N04TS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.