NTD6416AN-1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTD6416AN-1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для NTD6416AN-1G
NTD6416AN-1G Datasheet (PDF)
ntd6416an-1g.pdf

NTD6416AN, NVD6416ANN-Channel Power MOSFET100 V, 17 A, 81 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested AEC Q101 Qualified - NVD616ANID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1)100 V 81 mW @ 10 V 17 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value
ntd6416an nvd6416an.pdf

NTD6416AN, NVD6416ANMOSFET Power,N-Channel100 V, 17 A, 81 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 81 mW @ 10 V 17 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These De
ntd6416an.pdf

NTD6416ANN-Channel Power MOSFET100 V, 17 A, 81 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSID MAXCompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)100 V 81 mW @ 10 V 17 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source
ntd6416anl.pdf

NTD6416ANLN-Channel Power MOSFET100 V, 19 A, 74 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)100 V 74 mW @ 10 V 19 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VDGate-to-Source Voltage - Continuo
Другие MOSFET... UFZ24NL-TN3 , NTD5865N-1G , NTD5867NL-1G , NTD60N02R , NTD60N02R-035 , NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , IRF640N , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 .
History: ZXM62N02E6 | SIR472DP | STD46P4LLF6 | UTM6016G-S08-R
History: ZXM62N02E6 | SIR472DP | STD46P4LLF6 | UTM6016G-S08-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet