Справочник MOSFET. NTD65N03R

 

NTD65N03R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD65N03R
   Маркировка: 65N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTD65N03R

 

 

NTD65N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntd65n03r-035 ntd65n03r-1g ntd65n03r ntd65n03r-d.pdf

NTD65N03R NTD65N03R

NTD65N03RPower MOSFET25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) Ultra Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low Reverse Recovery Charge Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications6.5 mW @ 10 V25 V 65 A Desktop CPU Power9.7 mW @ 4.5 V DC-DC Converters High and Low Side SwitchN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF520

 

 
Back to Top