NTD65N03R-035 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTD65N03R-035
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD65N03R-035
NTD65N03R-035 Datasheet (PDF)
ntd65n03r-035 ntd65n03r-1g ntd65n03r ntd65n03r-d.pdf

NTD65N03RPower MOSFET25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) Ultra Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low Reverse Recovery Charge Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications6.5 mW @ 10 V25 V 65 A Desktop CPU Power9.7 mW @ 4.5 V DC-DC Converters High and Low Side SwitchN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ
Другие MOSFET... NTD5867NL-1G , NTD60N02R , NTD60N02R-035 , NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , 10N60 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G .
History: CS10N50A8R | GM2301 | VBA2317 | AP30N30W | SIRA18ADP | STB40NF20 | SIRA32DP
History: CS10N50A8R | GM2301 | VBA2317 | AP30N30W | SIRA18ADP | STB40NF20 | SIRA32DP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor