NTD70N03R-001 - описание и поиск аналогов

 

NTD70N03R-001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD70N03R-001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD70N03R-001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD70N03R-001 даташит

 ..1. Size:85K  onsemi
 ntd70n03r-001 ntd70n03rg ntd70n03r.pdf pdf_icon

NTD70N03R-001

NTD70N03R Power MOSFET 72 A, 25 V, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low CISS to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 25 V 5.6 mW 72 A Pb-Free Packages are Available N-Channel MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwise specified) D P

Другие MOSFET... NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , IRF3710 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R .

History: H04N60F | LSE50R160HT | ME2612-G | LSE55R140GT | LSB65R180HT | SVT25600NF | AP9974GP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.