Справочник MOSFET. NTF2955T1G

 

NTF2955T1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTF2955T1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для NTF2955T1G

 

 

NTF2955T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  onsemi
 ntf2955pt1g ntf2955t1g.pdf

NTF2955T1G NTF2955T1G

NTF2955, NVF2955,NVF2955PPower MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features TMOS7 Design for low RDS(on) http://onsemi.com Withstands High Energy in Avalanche and Commutation ModesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NVF2955, NVF2955P-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplications Pow

 ..2. Size:818K  cn vbsemi
 ntf2955t1g.pdf

NTF2955T1G NTF2955T1G

NTF2955T1Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Param

 7.1. Size:110K  onsemi
 ntf2955 nvf2955 nvf2955p.pdf

NTF2955T1G NTF2955T1G

NTF2955, NVF2955,NVF2955PPower MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features Design for low RDS(on) http://onsemi.com Withstands High Energy in Avalanche and Commutation ModesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC-Q101 Qualified - NVF2955, NVF2955P-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications P-Channel Power Supp

 7.2. Size:112K  onsemi
 ntf2955 nvf2955.pdf

NTF2955T1G NTF2955T1G

NTF2955, NVF2955Power MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modeshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified - NVF2955 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 AApplications Power SuppliesP-Channel PWM Motor

 7.3. Size:110K  onsemi
 ntf2955-p.pdf

NTF2955T1G NTF2955T1G

NTF2955, NTF2955PPower MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features TMOS7 Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modeshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Supplies-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A PWM Motor ControlP-Channel ConvertersD Power Manage

 7.4. Size:819K  cn vbsemi
 ntf2955pt1g.pdf

NTF2955T1G NTF2955T1G

NTF2955PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Para

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top