IPA032N06N3 - описание и поиск аналогов

 

IPA032N06N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA032N06N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IPA032N06N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA032N06N3 даташит

 ..1. Size:542K  infineon
ipa032n06n3 rev20.pdfpdf_icon

IPA032N06N3

pe # ! ! TM # A03 B53 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 D Q H35

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
ipa032n06n3.pdfpdf_icon

IPA032N06N3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA032N06N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:332K  infineon
ipa032n06n3g.pdfpdf_icon

IPA032N06N3

Type IPA032N06N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 3.2 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 84 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS com

 9.1. Size:393K  infineon
ipa037n08n3g.pdfpdf_icon

IPA032N06N3

IPA037N08N3 G OptiMOS(TM)3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

Другие MOSFET... FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , FMP60N280S2HF , STF13NM60N , IPA041N04N , IPA057N06N3 , IPA093N06N3 , IPA60R120C7 , IPA60R170CFD7 , IPA60R1K0CE , IPA60R1K5CE , IPA60R280CFD7 .

History: S10H18RP | CS2N70A3R1-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.