IPA60R280CFD7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPA60R280CFD7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IPA60R280CFD7
IPA60R280CFD7 Datasheet (PDF)
ipa60r280cfd7.pdf
IPA60R280CFD7MOSFETPG-TO 220 FP600V CoolMOS CFD7 Power DeviceCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS CFD7 is thesuccessor to the CoolMOS CFD2 series and is an optimized platformtailored to target soft switching applications such
ipa60r280cfd7.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R280CFD7FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATI
ipa60r280c6 ipb60r280c6 ipi60r280c6 ipp60r280c6 ipw60r280c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R280C6Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPA60R280C6, IPB60R280C6IPI60R280C6, IPP60R280C6IPW60R280C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according
ipa60r280c6.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R280C6FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918