Справочник MOSFET. IPB073N15N5

 

IPB073N15N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB073N15N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 114 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB073N15N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB073N15N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:980K  infineon
ipb073n15n5.pdfpdf_icon

IPB073N15N5

IPB073N15N5MOSFETDPAKOptiMOS5 Power-Transistor, 150 VFeatures Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Very low reverse recovery charge (Q )rr 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synch

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
ipb073n15n5.pdfpdf_icon

IPB073N15N5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB073N15N5FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingVery low reverse recovery chargeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:736K  infineon
ipb070n06lg ipp070n06lg7.pdfpdf_icon

IPB073N15N5

IPB070N06L G IPP070N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C

 9.2. Size:162K  infineon
ipp07n03l ipb07n03l.pdfpdf_icon

IPB073N15N5

IPP07N03LIPB07N03LOptiMOS Buck converter seriesProduct SummaryFeatureVDS30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 5.9 m Logic LevelID 80 A Low On-Resistance RDS(on)P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ideal for f

Другие MOSFET... IPA60R1K5CE , IPA60R280CFD7 , IPA60R280P7 , IPA60R600P7 , IPA65R1K0CE , IPA65R400CE , IPAN50R500CE , IPAN60R800CE , AON7403 , IPB090N06N3 , IPB156N22NFD , IPB60R280P6 , IPD30N03S2L , IPP60R060P7 , IPP60R070CFD7 , IRF3205STRLPBF , IRF7473TRPBF .

History: 5N65KL-TMS-T | HFS10N60S | SUD06N10-225L | STB18NF25 | IRF644NS | SQM40N15-38 | IXTQ170N10P

 

 
Back to Top

 


 
.