Справочник MOSFET. IPD30N03S2L

 

IPD30N03S2L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD30N03S2L
   Маркировка: 2N03L*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD30N03S2L

 

 

IPD30N03S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 ipd30n03s2l.pdf

IPD30N03S2L IPD30N03S2L

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPD30N03S2LFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 0.1. Size:151K  infineon
 ipd30n03s2l-07.pdf

IPD30N03S2L IPD30N03S2L

IPD30N03S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 6.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2

 0.2. Size:152K  infineon
 ipd30n03s2l-20.pdf

IPD30N03S2L IPD30N03S2L

IPD30N03S2L-20OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 20mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2L

 0.3. Size:151K  infineon
 ipd30n03s2l-10.pdf

IPD30N03S2L IPD30N03S2L

IPD30N03S2L-10OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 10mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2L

 0.4. Size:1828K  cn vbsemi
 ipd30n03s2l-10.pdf

IPD30N03S2L IPD30N03S2L

IPD30N03S2L-10www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top