IPD30N03S2L - аналоги и даташиты транзистора

 

IPD30N03S2L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPD30N03S2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD30N03S2L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD30N03S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 ipd30n03s2l.pdf pdf_icon

IPD30N03S2L

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPD30N03S2LFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 0.1. Size:151K  infineon
 ipd30n03s2l-07.pdf pdf_icon

IPD30N03S2L

IPD30N03S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 6.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2

 0.2. Size:152K  infineon
 ipd30n03s2l-20.pdf pdf_icon

IPD30N03S2L

IPD30N03S2L-20OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 20mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2L

 0.3. Size:151K  infineon
 ipd30n03s2l-10.pdf pdf_icon

IPD30N03S2L

IPD30N03S2L-10OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 10mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPA65R1K0CE , IPA65R400CE , IPAN50R500CE , IPAN60R800CE , IPB073N15N5 , IPB090N06N3 , IPB156N22NFD , IPB60R280P6 , EMB04N03H , IPP60R060P7 , IPP60R070CFD7 , IRF3205STRLPBF , IRF7473TRPBF , IRFI3306G , IRFI4228 , IRFI7440G , IRFI7446G .

History: HY1506P | SWB055R68E7T | SPP80N03S2L

 

 
Back to Top

 


 
.