Справочник MOSFET. 2N7639-GA

 

2N7639-GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7639-GA
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 250 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7639-GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:845K  genesic
 2n7639-ga.pdf pdf_icon

2N7639-GA

2N7639-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 600 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.3 V ID = 20 A RDS(ON) = 65 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.1. Size:467K  genesic
 2n7637-ga.pdf pdf_icon

2N7639-GA

2N7637-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.2 V ID = 7 A RDS(ON) = 170 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.2. Size:504K  genesic
 2n7635-ga.pdf pdf_icon

2N7639-GA

2N7635-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 4 A RDS(ON) = 425 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode Po

 9.3. Size:462K  genesic
 2n7638-ga.pdf pdf_icon

2N7639-GA

2N7638-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.4 V ID = 8 A RDS(ON) = 180 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Gate oxide free SiC switch S Suitable for connecting an anti-parallel diode Positive temperature coefficient for ea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: MTB75N05HDT4 | IXTQ130N20T | ALD1106SBL | SJMN600R70D | SVD640D | 2N6904 | SRC65R042B

 

 
Back to Top

 


 
.