2N7635-GA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7635-GA  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 250 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.425 Ohm

Тип корпуса: TO-257

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7635-GA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7635-GA даташит

 ..1. Size:504K  genesic
 2n7635-ga.pdf pdf_icon

2N7635-GA

2N7635-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 4 A RDS(ON) = 425 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode Po

 9.1. Size:845K  genesic
 2n7639-ga.pdf pdf_icon

2N7635-GA

2N7639-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 600 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.3 V ID = 20 A RDS(ON) = 65 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.2. Size:467K  genesic
 2n7637-ga.pdf pdf_icon

2N7635-GA

2N7637-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.2 V ID = 7 A RDS(ON) = 170 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.3. Size:462K  genesic
 2n7638-ga.pdf pdf_icon

2N7635-GA

2N7638-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.4 V ID = 8 A RDS(ON) = 180 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Gate oxide free SiC switch S Suitable for connecting an anti-parallel diode Positive temperature coefficient for ea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI7536G, IRFIP054, 2N7636-GA, 2N7637-GA, 2N7638-GA, 2N7639-GA, 2N7640-GA, IRFZ24NLPBF, 50N06, IRLB4132, IRLI3705, IXFA20N85XHV, IXFA34N65X2, IXFH20N85X, IXFH30N85X, IXFP12N65X2M, IXFP22N65X2M