Справочник MOSFET. CMI80N06

 

CMI80N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CMI80N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 260 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 76 nC

Время нарастания (tr): 160 ns

Выходная емкость (Cd): 815 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для CMI80N06

 

 

CMI80N06 Datasheet (PDF)

1.1. cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf Size:1054K _update-mosfet

CMI80N06
CMI80N06

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summery The 80N06 is N-ch MOSFET BVDSS RDSON ID with extreme high cell density , 60V 7.8m 80A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Control applications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


CMI80N06
  CMI80N06
  CMI80N06
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |
 

 

 

 

 
Back to Top