Справочник MOSFET. CMI80N06

 

CMI80N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMI80N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 815 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для CMI80N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMI80N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  cmos
 cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf pdf_icon

CMI80N06

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Product SummeryThe 80N06 is N-ch MOSFETBVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,60V 7.8m 80Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Controlapplications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif

Другие MOSFET... SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , TK10A60D , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G , NTGS3433T1G .

History: RUH30150M

 

 
Back to Top

 


 
.