CMI80N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CMI80N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 815 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CMI80N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMI80N06 даташит

 ..1. Size:1054K  cmos
 cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf pdf_icon

CMI80N06

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summery The 80N06 is N-ch MOSFET BVDSS RDSON ID with extreme high cell density , 60V 7.8m 80A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Control applications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif

Другие IGBT... SUP70040E, SWHA069R10VS, TK290P60Y, VN88AFD, 2SK3262-01MR, MTY30N50E, CMP80N06, CMB80N06, 13N50, BUK437-500A, BUK637-400B, NTGD4161PT1G, NTGD4169FT1G, NTGS1135PT1G, NTGS3130NT1G, NTGS3136PT1G, NTGS3433T1G