NTGS3130NT1G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTGS3130NT1G 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 169 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTGS3130NT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTGS3130NT1G даташит
ntgs3130n ntgs3130nt1g.pdf
NTGS3130N Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6 Features Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) mAX ID Max This is a Pb-Free Device 24 mW @ 4.5 V 5.6 A Applications 20 V DC-DC Converters 32 mW @ 2.5 V 4.9 A Lithium Ion Ba
ntgs3136p nvgs3136p.pdf
NTGS3136P, NVGS3136P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -20 V, -5.8 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Switching 25 mW @ -4.5 V -5.1 A NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique -20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 A Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified an
ntgs3136p-d ntgs3136pt1g.pdf
NTGS3136P Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating http //onsemi.com Fast Switching This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Applications 25 mW @ -4.5 V -5.1 A Optimized for Battery and Load Management Applications in -20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 A Portable Equipment 41 mW @ -1.8 V -
ntgs3136pt1g.pdf
NTGS3136PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm
Другие IGBT... CMP80N06, CMB80N06, CMI80N06, BUK437-500A, BUK637-400B, NTGD4161PT1G, NTGD4169FT1G, NTGS1135PT1G, AON6380, NTGS3136PT1G, NTGS3433T1G, NTGS3441BT1G, NTGS3441PT1G, NTGS3441T1, NTGS3443BT1G, NTGS3443T1, NTGS3446T1
History: NTLJF4156NT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885




