Справочник MOSFET. NTHD2110TT1G

 

NTHD2110TT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTHD2110TT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET

 Аналог (замена) для NTHD2110TT1G

 

 

NTHD2110TT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  onsemi
 nthd2110tt1g.pdf

NTHD2110TT1G NTHD2110TT1G

AND PIN ANTHD2110TPower MOSFET-12 V, -6.4 A, Single P-Channel +TVS,ChipFETt PackageFeatures Low RDS(on) MOSFET and TVS Diode ChipFET Package Integrated Drain Side TVS for 15 kV Contact Discharge ESDhttp://onsemi.comProtectionV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.8 V Gate Rating This is a Pb-Free Device 40 mW @ -4.5 VApplications53 mW @ -2.5 V -6.4 A-12 V B

 8.1. Size:63K  onsemi
 nthd2102p-d.pdf

NTHD2110TT1G NTHD2110TT1G

NTHD2102PPower MOSFET-8.0 V, -4.6 A Dual P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6http://onsemi.commaking it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremium V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top