Справочник MOSFET. NTHD2110TT1G

 

NTHD2110TT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHD2110TT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
 

 Аналог (замена) для NTHD2110TT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD2110TT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  onsemi
 nthd2110tt1g.pdf pdf_icon

NTHD2110TT1G

AND PIN ANTHD2110TPower MOSFET-12 V, -6.4 A, Single P-Channel +TVS,ChipFETt PackageFeatures Low RDS(on) MOSFET and TVS Diode ChipFET Package Integrated Drain Side TVS for 15 kV Contact Discharge ESDhttp://onsemi.comProtectionV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.8 V Gate Rating This is a Pb-Free Device 40 mW @ -4.5 VApplications53 mW @ -2.5 V -6.4 A-12 V B

 8.1. Size:63K  onsemi
 nthd2102p-d.pdf pdf_icon

NTHD2110TT1G

NTHD2102PPower MOSFET-8.0 V, -4.6 A Dual P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6http://onsemi.commaking it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremium V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

Другие MOSFET... NTGS3443BT1G , NTGS3443T1 , NTGS3446T1 , NTGS3447PT1G , NTGS3455T1 , NTGS4111PT1 , NTGS4141NT1G , NTGS5120PT1G , STP80NF70 , NTHD3101FT1G , NTHD3101FT3 , NTHD3133PFT1G , NTHD4N02FT1 , NTHD4P02FT1G , NTHD5904NT1 , NTHD5904NT3 , NTHS2101PT1 .

History: IRF640SPBF | MEE4294-G | SLD5N65S | NCEP40T13AGU | CJ3404 | CSD17577Q3A | BL8N100-A

 

 
Back to Top

 


 
.