Справочник MOSFET. NTHD2110TT1G

 

NTHD2110TT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHD2110TT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD2110TT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  onsemi
 nthd2110tt1g.pdf pdf_icon

NTHD2110TT1G

AND PIN ANTHD2110TPower MOSFET-12 V, -6.4 A, Single P-Channel +TVS,ChipFETt PackageFeatures Low RDS(on) MOSFET and TVS Diode ChipFET Package Integrated Drain Side TVS for 15 kV Contact Discharge ESDhttp://onsemi.comProtectionV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.8 V Gate Rating This is a Pb-Free Device 40 mW @ -4.5 VApplications53 mW @ -2.5 V -6.4 A-12 V B

 8.1. Size:63K  onsemi
 nthd2102p-d.pdf pdf_icon

NTHD2110TT1G

NTHD2102PPower MOSFET-8.0 V, -4.6 A Dual P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6http://onsemi.commaking it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremium V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HTD360N10 | FQU3N60CTU | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FDMC610P | NTD15N06L-001 | STB200NF04L

 

 
Back to Top

 


 
.