NTHD2110TT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTHD2110TT1G  📄📄 

Маркировка: FTZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.85 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTHD2110TT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD2110TT1G даташит

 ..1. Size:89K  onsemi
 nthd2110tt1g.pdf pdf_icon

NTHD2110TT1G

AND PIN A NTHD2110T Power MOSFET -12 V, -6.4 A, Single P-Channel +TVS, ChipFETt Package Features Low RDS(on) MOSFET and TVS Diode ChipFET Package Integrated Drain Side TVS for 15 kV Contact Discharge ESD http //onsemi.com Protection V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 1.8 V Gate Rating This is a Pb-Free Device 40 mW @ -4.5 V Applications 53 mW @ -2.5 V -6.4 A -12 V B

 8.1. Size:63K  onsemi
 nthd2102p-d.pdf pdf_icon

NTHD2110TT1G

NTHD2102P Power MOSFET -8.0 V, -4.6 A Dual P-Channel ChipFETt Features Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 http //onsemi.com making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at a Premium V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

Другие IGBT... NTGS3443BT1G, NTGS3443T1, NTGS3446T1, NTGS3447PT1G, NTGS3455T1, NTGS4111PT1, NTGS4141NT1G, NTGS5120PT1G, 10N65, NTHD3101FT1G, NTHD3101FT3, NTHD3133PFT1G, NTHD4N02FT1, NTHD4P02FT1G, NTHD5904NT1, NTHD5904NT3, NTHS2101PT1