NTHS4111PT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTHS4111PT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTHS4111PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHS4111PT1G даташит

 ..1. Size:193K  onsemi
 nths4111pt1g.pdf pdf_icon

NTHS4111PT1G

NTHS4111P Power MOSFET -30 V, -6.1 A, Single P-Channel, ChipFETt Features Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package http //onsemi.com ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 Low Profile (

 8.1. Size:84K  onsemi
 nths4166n nths4166nt1g.pdf pdf_icon

NTHS4111PT1G

NTHS4166N Power MOSFET 30 V, 8.2 A, Single N-Channel, ChipFETt Package Features http //onsemi.com Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Excellent Thermal Capabilities 22 mW @ 10 V This is a Pb-Free Device 30 V 8.2 A 27 mW @ 4.5 V Applications

 8.2. Size:59K  onsemi
 nths4101p-d.pdf pdf_icon

NTHS4111PT1G

NTHS4101P Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFETt Features Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 http //onsemi.com making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at a Premium V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

 8.3. Size:118K  onsemi
 nths4101p.pdf pdf_icon

NTHS4111PT1G

NTHS4101P MOSFET Power, P-Channel, ChipFET -20 V, 6.7 A Features Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package http //onsemi.com Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at a V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Premium 21 mW @ -4.5 V Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTHD3133PFT1G, NTHD4N02FT1, NTHD4P02FT1G, NTHD5904NT1, NTHD5904NT3, NTHS2101PT1, NTHS2101PT1G, NTHS4101PT1G, 2N60, NTHS4166NT1G, NTHS4501NT1, NTHS4501NT1G, NTHS5402T1, NTHS5404T1G, NTHS5441PT1G, NTHS5441T1G, NTHS5443T1