NTJS4160NT1G - описание и поиск аналогов

 

Аналоги NTJS4160NT1G. Основные параметры


   Наименование производителя: NTJS4160NT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для NTJS4160NT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJS4160NT1G даташит

 ..1. Size:81K  onsemi
ntjs4160n-d ntjs4160nt1g.pdfpdf_icon

NTJS4160NT1G

NTJS4160N Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N-Channel, SC-88 Features Offers an Low RDS(on) Solution in the SC-88 Package Low Profile (

 8.1. Size:143K  onsemi
ntjs4151p ntjs4151pt1 ntjs4151pt1g.pdfpdf_icon

NTJS4160NT1G

NTJS4151P Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88 Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life http //onsemi.com SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Utilization, Same as SC-70-6 47 mW @ -4.5 V Gate Diodes for ESD Protection -20 V 70 mW @ -2.5 V -4.2 A Pb-Free Package is Avai

 9.1. Size:102K  onsemi
ntjs4405n.pdfpdf_icon

NTJS4160NT1G

NTJS4405N Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88 Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Pb-Free Packages are Available 249 mW @ 4.5 V 25 V 1.2 A Applications 299 mW @ 2.7 V Boost and Buck Converter Load Switch N-Channel Batt

 9.2. Size:191K  onsemi
ntjs4405n nvjs4405n.pdfpdf_icon

NTJS4160NT1G

NTJS4405N, NVJS4405N MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, SC-88 25 V, 1.2 A http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) 249 mW @ 4.5 V Higher Efficiency Extending Battery Life 25 V 1.2 A 299 mW @ 2.7 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

Другие MOSFET... NTJD4158CT1G , NTJS3151PT1G , NTJS3151PT2 , NTJS3157NT1G , NTJS3157NT2 , NTJS3157NT4 , NTJS4151PT1 , NTJS4151PT1G , AOD4184A , NTJS4405NT1 , NTJS4405NT4 , NTK3043NAT5G , NTK3043NT1G , NTK3134NT1G , NTK3139PT1G , NTK3142PT1G , NTLGF3402PT1G .

History: SPI07N60S5

 

 
Back to Top

 


 
.