Справочник MOSFET. NTLGF3501NT2G

 

NTLGF3501NT2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTLGF3501NT2G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: DFN6
 

 Аналог (замена) для NTLGF3501NT2G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLGF3501NT2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  onsemi
 ntlgf3501nt2g.pdf pdf_icon

NTLGF3501NT2G

NTLGF3501NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A FETKY), N-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6http://onsemi.comFeaturesMOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mmV(BR)DSS RDS(on) TYP ID TYP Reduced Gate Charge to Improve Switching Response Enhanced Thermal Characteristics20 V 70 mW @ 4.5 V 4.6 A This is a Pb-Free DeviceSCHOTTKY DIODEApplicat

 8.1. Size:86K  onsemi
 ntlgf3402p ntlgf3402pt1g.pdf pdf_icon

NTLGF3501NT2G

NTLGF3402PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -3.9 A FETKY), P-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6http://onsemi.comFeaturesMOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mmV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Enhanced Thermal Characteristics Low VF and Low Leakage Schottky Diode-20 V 110 mW @ -4.5 V -3.9 A Reduced Gate Charge to Improve Switching ResponseSCHOT

Другие MOSFET... NTJS4405NT1 , NTJS4405NT4 , NTK3043NAT5G , NTK3043NT1G , NTK3134NT1G , NTK3139PT1G , NTK3142PT1G , NTLGF3402PT1G , IRF840 , NTLJD3119CTAG , NTLJD3119CTBG , NTLJD3182FZTAG , NTLJD3182FZTBG , NTLJF3117PT1G , NTLJF3117PTAG , NTLJF3118NTAG , NTLJF4156NT1G .

History: BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3 | TPC60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.