NTLGF3501NT2G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTLGF3501NT2G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: DFN6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTLGF3501NT2G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLGF3501NT2G даташит

 ..1. Size:87K  onsemi
 ntlgf3501nt2g.pdf pdf_icon

NTLGF3501NT2G

NTLGF3501N Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A FETKY), N-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 http //onsemi.com Features MOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mm V(BR)DSS RDS(on) TYP ID TYP Reduced Gate Charge to Improve Switching Response Enhanced Thermal Characteristics 20 V 70 mW @ 4.5 V 4.6 A This is a Pb-Free Device SCHOTTKY DIODE Applicat

 8.1. Size:86K  onsemi
 ntlgf3402p ntlgf3402pt1g.pdf pdf_icon

NTLGF3501NT2G

NTLGF3402P Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.9 A FETKY), P-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 http //onsemi.com Features MOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mm V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Enhanced Thermal Characteristics Low VF and Low Leakage Schottky Diode -20 V 110 mW @ -4.5 V -3.9 A Reduced Gate Charge to Improve Switching Response SCHOT

Другие IGBT... NTJS4405NT1, NTJS4405NT4, NTK3043NAT5G, NTK3043NT1G, NTK3134NT1G, NTK3139PT1G, NTK3142PT1G, NTLGF3402PT1G, IRF840, NTLJD3119CTAG, NTLJD3119CTBG, NTLJD3182FZTAG, NTLJD3182FZTBG, NTLJF3117PT1G, NTLJF3117PTAG, NTLJF3118NTAG, NTLJF4156NT1G