NTLJF3117PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTLJF3117PT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: WDFN6
Аналог (замена) для NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1G Datasheet (PDF)
ntljf3117p-d ntljf3117pt1g ntljf3117ptag.pdf

NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same
ntljf3117p.pdf

NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same
ntljf3118n ntljf3118ntag.pdf

NTLJF3118NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction65 mW @ 4.5 V 3.8 A Footprint Same as SC-88 Package20 V 85 mW @ 2.5 V 2.0 A 1.8 V VGS Rated RDS(o
ntljf4156n ntljf4156nt1g ntljf4156ntag.pdf

NTLJF4156NPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction70 mW @ 4.5 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A RD
Другие MOSFET... NTK3139PT1G , NTK3142PT1G , NTLGF3402PT1G , NTLGF3501NT2G , NTLJD3119CTAG , NTLJD3119CTBG , NTLJD3182FZTAG , NTLJD3182FZTBG , IRF640 , NTLJF3117PTAG , NTLJF3118NTAG , NTLJF4156NT1G , NTLJF4156NTAG , NTLJS1102PTAG , NTLJS1102PTBG , NTLJS2103PTAG , NTLJS2103PTBG .
History: SIHF9640S | SIHFD014 | HGN028NE6AL | STF13N60M2 | CS7456
History: SIHF9640S | SIHFD014 | HGN028NE6AL | STF13N60M2 | CS7456



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent