NTLJF3118NTAG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTLJF3118NTAG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: WDFN6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTLJF3118NTAG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLJF3118NTAG даташит

 ..1. Size:110K  onsemi
 ntljf3118n ntljf3118ntag.pdf pdf_icon

NTLJF3118NTAG

NTLJF3118N Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm http //onsemi.com WDFN Package MOSFET Features V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction 65 mW @ 4.5 V 3.8 A Footprint Same as SC-88 Package 20 V 85 mW @ 2.5 V 2.0 A 1.8 V VGS Rated RDS(o

 6.1. Size:112K  onsemi
 ntljf3117p-d ntljf3117pt1g ntljf3117ptag.pdf pdf_icon

NTLJF3118NTAG

NTLJF3117P Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, mCool] Package http //onsemi.com Features MOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Thermal Conduction 100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same

 6.2. Size:112K  onsemi
 ntljf3117p.pdf pdf_icon

NTLJF3118NTAG

NTLJF3117P Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, mCool] Package http //onsemi.com Features MOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Thermal Conduction 100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same

 9.1. Size:99K  onsemi
 ntljf4156n ntljf4156nt1g ntljf4156ntag.pdf pdf_icon

NTLJF3118NTAG

NTLJF4156N Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm http //onsemi.com WDFN Package MOSFET Features V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction 70 mW @ 4.5 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout 30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A RD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTLGF3402PT1G, NTLGF3501NT2G, NTLJD3119CTAG, NTLJD3119CTBG, NTLJD3182FZTAG, NTLJD3182FZTBG, NTLJF3117PT1G, NTLJF3117PTAG, IRF640, NTLJF4156NT1G, NTLJF4156NTAG, NTLJS1102PTAG, NTLJS1102PTBG, NTLJS2103PTAG, NTLJS2103PTBG, NTLJS3113PT1G, NTLJS3113PTAG