NTLJF4156NTAG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTLJF4156NTAG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.71 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9.2 ns
Выходная емкость (Cd): 51 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: WDFN6
Аналог (замена) для NTLJF4156NTAG
NTLJF4156NTAG Datasheet (PDF)
ntljf4156n ntljf4156nt1g ntljf4156ntag.pdf
NTLJF4156NPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction70 mW @ 4.5 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A RD
ntljf4156n.pdf
NTLJF4156NMOSFET Power,N-Channel with SchottkyBarrier Diode, SchottkyDiode, mCool, WDFNhttp://onsemi.com2X2 mmMOSFET30 V, 4.6 A, 2.0 AV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)70 mW @ 4.5 VFeatures30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction125 mW @ 1.8 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layo
ntljf3117p-d ntljf3117pt1g ntljf3117ptag.pdf
NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same
ntljf3118n ntljf3118ntag.pdf
NTLJF3118NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction65 mW @ 4.5 V 3.8 A Footprint Same as SC-88 Package20 V 85 mW @ 2.5 V 2.0 A 1.8 V VGS Rated RDS(o
ntljf3117p.pdf
NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
