NTLJF4156NTAG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTLJF4156NTAG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: WDFN6
Аналог (замена) для NTLJF4156NTAG
NTLJF4156NTAG Datasheet (PDF)
ntljf4156n ntljf4156nt1g ntljf4156ntag.pdf

NTLJF4156NPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction70 mW @ 4.5 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A RD
ntljf4156n.pdf

NTLJF4156NMOSFET Power,N-Channel with SchottkyBarrier Diode, SchottkyDiode, mCool, WDFNhttp://onsemi.com2X2 mmMOSFET30 V, 4.6 A, 2.0 AV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)70 mW @ 4.5 VFeatures30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction125 mW @ 1.8 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layo
ntljf3117p-d ntljf3117pt1g ntljf3117ptag.pdf

NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same
ntljf3118n ntljf3118ntag.pdf

NTLJF3118NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction65 mW @ 4.5 V 3.8 A Footprint Same as SC-88 Package20 V 85 mW @ 2.5 V 2.0 A 1.8 V VGS Rated RDS(o
Другие MOSFET... NTLJD3119CTAG , NTLJD3119CTBG , NTLJD3182FZTAG , NTLJD3182FZTBG , NTLJF3117PT1G , NTLJF3117PTAG , NTLJF3118NTAG , NTLJF4156NT1G , IRFP260N , NTLJS1102PTAG , NTLJS1102PTBG , NTLJS2103PTAG , NTLJS2103PTBG , NTLJS3113PT1G , NTLJS3113PTAG , NTLJS3180PZTBG , NTLJS3A18PZ .
History: CEM3258 | DMP6110SSD | SPA04N80C3 | HUFA76437P3 | PSMN5R8-30LL | CJK1211
History: CEM3258 | DMP6110SSD | SPA04N80C3 | HUFA76437P3 | PSMN5R8-30LL | CJK1211



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet