Справочник MOSFET. NTLJF4156NTAG

 

NTLJF4156NTAG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTLJF4156NTAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: WDFN6
 

 Аналог (замена) для NTLJF4156NTAG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLJF4156NTAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  onsemi
ntljf4156n ntljf4156nt1g ntljf4156ntag.pdfpdf_icon

NTLJF4156NTAG

NTLJF4156NPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction70 mW @ 4.5 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A RD

 4.1. Size:143K  onsemi
ntljf4156n.pdfpdf_icon

NTLJF4156NTAG

NTLJF4156NMOSFET Power,N-Channel with SchottkyBarrier Diode, SchottkyDiode, mCool, WDFNhttp://onsemi.com2X2 mmMOSFET30 V, 4.6 A, 2.0 AV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)70 mW @ 4.5 VFeatures30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction125 mW @ 1.8 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layo

 9.1. Size:112K  onsemi
ntljf3117p-d ntljf3117pt1g ntljf3117ptag.pdfpdf_icon

NTLJF4156NTAG

NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same

 9.2. Size:110K  onsemi
ntljf3118n ntljf3118ntag.pdfpdf_icon

NTLJF4156NTAG

NTLJF3118NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction65 mW @ 4.5 V 3.8 A Footprint Same as SC-88 Package20 V 85 mW @ 2.5 V 2.0 A 1.8 V VGS Rated RDS(o

Другие MOSFET... NTLJD3119CTAG , NTLJD3119CTBG , NTLJD3182FZTAG , NTLJD3182FZTBG , NTLJF3117PT1G , NTLJF3117PTAG , NTLJF3118NTAG , NTLJF4156NT1G , IRFP260N , NTLJS1102PTAG , NTLJS1102PTBG , NTLJS2103PTAG , NTLJS2103PTBG , NTLJS3113PT1G , NTLJS3113PTAG , NTLJS3180PZTBG , NTLJS3A18PZ .

History: CEM3258 | DMP6110SSD | SPA04N80C3 | HUFA76437P3 | PSMN5R8-30LL | CJK1211

 

 
Back to Top

 


 
.