Справочник MOSFET. NTLUD4C26N

 

NTLUD4C26N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTLUD4C26N
   Маркировка: AC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.72 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.5 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 225 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm
   Тип корпуса: UDFN6

 Аналог (замена) для NTLUD4C26N

 

 

NTLUD4C26N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  onsemi
 ntlud4c26n.pdf

NTLUD4C26N NTLUD4C26N

NTLUD4C26NProduct PreviewPower MOSFET30 V, 7.3 A, Dual N-Channel,2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN6 PackageFeatures www.onsemi.com UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent ThermalMOSFETConductionV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0 x 2.0 x 0.55 mm for Board Space Saving21 mW @ 10 V Ultra Low RDS(on)24 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free,

 9.1. Size:123K  onsemi
 ntlud3a260pz.pdf

NTLUD4C26N NTLUD4C26N

NTLUD3A260PZPower MOSFET-20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW

 9.2. Size:141K  onsemi
 ntlud3191pz.pdf

NTLUD4C26N NTLUD4C26N

NTLUD3191PZPower MOSFET-20 V, -1.8 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD250 mW @ -4.5 V -1.5 A This is a Halide Free Device380 mW @ -2.5 V -1.0 A Th

 9.3. Size:123K  onsemi
 ntlud3a50pz.pdf

NTLUD4C26N NTLUD4C26N

NTLUD3A50PZPower MOSFET-20 V, -5.6 A, mCoolt Dual P-Channel,2.0x2.0x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS50 mW @ -4.5 V

 9.4. Size:120K  onsemi
 ntlud3a260pztag ntlud3a260pztbg.pdf

NTLUD4C26N NTLUD4C26N

NTLUD3A260PZPower MOSFET-20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top