NTMFD4901NF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTMFD4901NF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: DFN8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTMFD4901NF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMFD4901NF даташит
ntmfd4901nf.pdf
NTMFD4901NF Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual http //onsemi.com N-Channel SO8FL V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Features 6.5 mW @ 10 V Q1 Top FET Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space 18 A 10 mW @ 4.5 V 30 V Low Side MOSFET with Integrated Schottky Q2 Bottom 2.35 mW @ 10 V Minimized Parasi
ntmfd4902nf.pdf
NTMFD4902NF Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 30 V, High Side 18 A / Low Side 23 A, Dual http //onsemi.com N-Channel SO8FL V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Features 6.5 mW @ 10 V Q1 Top FET Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space 18 A 10 mW @ 4.5 V 30 V Low Side MOSFET with Integrated Schottky Q2 Bottom 4.1 mW @ 10 V Minimized Parasit
ntmfd4c87n.pdf
NTMFD4C87N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 20 A / Low Side 26 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 5.4 mW @ 10 V Q1 Top FET Compliant 20 A 3
ntmfd4c85n.pdf
NTMFD4C85N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 25 A / Low Side 49 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.0 mW @ 10 V Q1 Top FET Compliant 25 A 3
Другие IGBT... NTLUS4C12N, NTLUS4C16N, NTMD4184PFR2G, NTMD4884NFR2G, NTMD4N03, NTMD5836NLR2G, NTMD6N03R2G, NTMD6P02R2G, CS150N03A8, NTMFD4902NF, NTMFD4C20N, NTMFD4C85N, NTMFD4C86N, NTMFD4C87N, NTMFD4C88N, NTMFS4108NT1G, NTMFS4119NT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g








