Справочник MOSFET. NTMFD4C85N

 

NTMFD4C85N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMFD4C85N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DFN8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFD4C85N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  onsemi
 ntmfd4c85n.pdf pdf_icon

NTMFD4C85N

NTMFD4C85NPowerPhase, DualN-Channel SO8FL30 V, High Side 25 A / Low Side 49 AFeatures Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Spacewww.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3.0 mW @ 10 VQ1 Top FETCompliant25 A3

 6.1. Size:117K  onsemi
 ntmfd4c87n.pdf pdf_icon

NTMFD4C85N

NTMFD4C87NPowerPhase, DualN-Channel SO8FL30 V, High Side 20 A / Low Side 26 AFeatures Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Spacewww.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS5.4 mW @ 10 VQ1 Top FETCompliant20 A3

 6.2. Size:128K  onsemi
 ntmfd4c86n.pdf pdf_icon

NTMFD4C85N

NTMFD4C86NPowerPhase, DualN-Channel SO8FL30 V, High Side 20 A / Low Side 32 AFeatures Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Spacewww.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS5.4 mW @ 10 VCompliant Q1 Top FET20 A30

 6.3. Size:123K  onsemi
 ntmfd4c88n.pdf pdf_icon

NTMFD4C85N

NTMFD4C88NPowerPhase, DualN-Channel SO8FL30 V, High Side 20 A / Low Side 24 AFeatures Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Spacewww.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS5.4 mW @ 10 VCompliant Q1 Top FET20 A30

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.