NTMFD4C86N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFD4C86N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 532 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: DFN8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFD4C86N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFD4C86N даташит

 ..1. Size:128K  onsemi
 ntmfd4c86n.pdf pdf_icon

NTMFD4C86N

NTMFD4C86N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 20 A / Low Side 32 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 5.4 mW @ 10 V Compliant Q1 Top FET 20 A 30

 6.1. Size:117K  onsemi
 ntmfd4c87n.pdf pdf_icon

NTMFD4C86N

NTMFD4C87N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 20 A / Low Side 26 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 5.4 mW @ 10 V Q1 Top FET Compliant 20 A 3

 6.2. Size:130K  onsemi
 ntmfd4c85n.pdf pdf_icon

NTMFD4C86N

NTMFD4C85N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 25 A / Low Side 49 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.0 mW @ 10 V Q1 Top FET Compliant 25 A 3

 6.3. Size:123K  onsemi
 ntmfd4c88n.pdf pdf_icon

NTMFD4C86N

NTMFD4C88N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 20 A / Low Side 24 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 5.4 mW @ 10 V Compliant Q1 Top FET 20 A 30

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMD4N03, NTMD5836NLR2G, NTMD6N03R2G, NTMD6P02R2G, NTMFD4901NF, NTMFD4902NF, NTMFD4C20N, NTMFD4C85N, IRFP450, NTMFD4C87N, NTMFD4C88N, NTMFS4108NT1G, NTMFS4119NT1G, NTMFS4120NT1G, NTMFS4121NT1G, NTMFS4122NT1G, NTMFS4701NT1G