Справочник MOSFET. NTMS3P03R2

 

NTMS3P03R2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMS3P03R2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS3P03R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  onsemi
 ntms3p03r2.pdf pdf_icon

NTMS3P03R2

NTMS3P03R2Power MOSFET-3.05 Amps, -30 VoltsP-Channel SOIC-8http://onsemi.comFeatures High Efficiency Components in a Single SOIC-8 Package-3.05 AMPERES High Density Power MOSFET with Low RDS(on)-30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space0.085 W @ VGS = -10 V Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MDP2N60TP | ASDM2301ZA | LSF60R280HT | STV4N100 | AFN2318A | AM8204 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.