NTMS3P03R2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMS3P03R2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для NTMS3P03R2
NTMS3P03R2 Datasheet (PDF)
ntms3p03r2.pdf

NTMS3P03R2Power MOSFET-3.05 Amps, -30 VoltsP-Channel SOIC-8http://onsemi.comFeatures High Efficiency Components in a Single SOIC-8 Package-3.05 AMPERES High Density Power MOSFET with Low RDS(on)-30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space0.085 W @ VGS = -10 V Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated
Другие MOSFET... NTMFS5C604NL , NTMFS5C612NL , NTMFS5C646NL , NTMFS5C670NL , NTMFS6B03N , NTMFS6B05N , NTMFS6B14N , NTMS10P02R2G , AON7506 , NTMS4101PR2 , NTMS4107NR2G , NTMS4176PR2G , NTMS4177PR2G , NTMS4404NR2 , NTMS4503NR2 , NTMS4700NR2 , NTMS4705NR2G .
History: HY4306B6 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | UTT25P10L-TQ2-T | 2SK65
History: HY4306B6 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | UTT25P10L-TQ2-T | 2SK65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640