NTMS3P03R2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMS3P03R2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMS3P03R2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS3P03R2 даташит

 ..1. Size:97K  onsemi
 ntms3p03r2.pdf pdf_icon

NTMS3P03R2

NTMS3P03R2 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts P-Channel SOIC-8 http //onsemi.com Features High Efficiency Components in a Single SOIC-8 Package -3.05 AMPERES High Density Power MOSFET with Low RDS(on) -30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space 0.085 W @ VGS = -10 V Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated

Другие IGBT... NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL, NTMFS5C646NL, NTMFS5C670NL, NTMFS6B03N, NTMFS6B05N, NTMFS6B14N, NTMS10P02R2G, IRFB3607, NTMS4101PR2, NTMS4107NR2G, NTMS4176PR2G, NTMS4177PR2G, NTMS4404NR2, NTMS4503NR2, NTMS4700NR2, NTMS4705NR2G