NTMS3P03R2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTMS3P03R2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для NTMS3P03R2
NTMS3P03R2 Datasheet (PDF)
ntms3p03r2.pdf

NTMS3P03R2Power MOSFET-3.05 Amps, -30 VoltsP-Channel SOIC-8http://onsemi.comFeatures High Efficiency Components in a Single SOIC-8 Package-3.05 AMPERES High Density Power MOSFET with Low RDS(on)-30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space0.085 W @ VGS = -10 V Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated
Другие MOSFET... NTMFS5C604NL , NTMFS5C612NL , NTMFS5C646NL , NTMFS5C670NL , NTMFS6B03N , NTMFS6B05N , NTMFS6B14N , NTMS10P02R2G , AON7506 , NTMS4101PR2 , NTMS4107NR2G , NTMS4176PR2G , NTMS4177PR2G , NTMS4404NR2 , NTMS4503NR2 , NTMS4700NR2 , NTMS4705NR2G .
History: SI1307DL | FHP830A | TPC8022-H | FIR80N03LG | BL3N100-D | FHU2N65A
History: SI1307DL | FHP830A | TPC8022-H | FIR80N03LG | BL3N100-D | FHU2N65A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640