NTMS4801NR2G - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

NTMS4801NR2G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: NTMS4801NR2G
   Маркировка: 4801N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 288 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для NTMS4801NR2G

NTMS4801NR2G Datasheet (PDF)

..1. Size:131K onsemi
ntms4801nr2g.pdf

NTMS4801NPower MOSFET30 V, 12 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications9.0 mW @ 10 V30 V 12 A DC-DC Converters12.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET

5.1. Size:135K onsemi
ntms4801n.pdf

7.1. Size:88K onsemi
ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdf

NTMS4807NPower MOSFET30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.1 mW @ 10 V Disk Drives30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri

7.2. Size:111K onsemi
ntms4802n ntms4802nr2g.pdf

NTMS4802NPower MOSFET30 V, 18 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications4.0 mW @ 10 V30 V 18 A DC-DC Converters5.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET

7.3. Size:136K onsemi
ntms4800n.pdf

NTMS4800NPower MOSFET30 V, 8 A, N-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device20 mW @ 10 VApplications30 V 8 A27 mW @ 4.5 V

7.4. Size:132K onsemi
ntms4800nr2g.pdf