NTMS4816NR2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMS4816NR2G
Маркировка: 4816N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.2 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для NTMS4816NR2G
NTMS4816NR2G Datasheet (PDF)
ntms4816nr2g.pdf

NTMS4816N, NVMS4816NPower MOSFET30 V, 11 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVMS4816N These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications10
ntms4816n.pdf

NTMS4816NPower MOSFET30 V, 11 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications10 mW @ 10 V Disk Drives30 V 11 A DC-DC Converters 16 mW @ 4.5 V Printers
ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdf

NTMS4807NPower MOSFET30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.1 mW @ 10 V Disk Drives30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri
ntms4873nf-d ntms4873nfr2g.pdf

NTMS4873NFPower MOSFET30 V, 11.5 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Includes SyncFET Schottky Diodehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device12 mW @ 10 V
Другие MOSFET... NTMS4700NR2 , NTMS4705NR2G , NTMS4706NR2 , NTMS4706NR2G , NTMS4800NR2G , NTMS4801NR2G , NTMS4802NR2G , NTMS4807NR2G , STP80NF70 , NTMS4872NR2G , NTMS4873NFR2G , NTMS4916NR2G , NTMS4917NR2G , NTMS4937NR2G , NTMS4939NR2G , NTMS4N01R2G , NTMS4P01R2 .
History: NTGS3446T1 | SI1902DL
History: NTGS3446T1 | SI1902DL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614