NTMS4939NR2G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTMS4939NR2G 📄📄
Маркировка: 4939N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.4 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTMS4939NR2G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMS4939NR2G даташит
ntms4939nr2g.pdf
NTMS4939N Power MOSFET 30 V, 12.5 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications DC-DC Converters 8.4 mW @ 10 V 30 V
ntms4939n.pdf
NTMS4939N MOSFET Power, N-Channel, SO-8 30 V, 12.5 A Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 8.4 mW @ 10 V 30 V 12.5 A Applications 11 mW @
ntms4937nr2g.pdf
NTMS4937N Power MOSFET 30 V, 13.6 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications DC-DC Converters 6.5 mW @ 10 V 30 V
ntms4937n.pdf
NTMS4937N Power MOSFET 30 V, 13.6 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications DC-DC Converters 6.5 mW @ 10 V 30 V
Другие IGBT... NTMS4802NR2G, NTMS4807NR2G, NTMS4816NR2G, NTMS4872NR2G, NTMS4873NFR2G, NTMS4916NR2G, NTMS4917NR2G, NTMS4937NR2G, 20N50, NTMS4N01R2G, NTMS4P01R2, NTMS5835NLR2G, NTMS5838NLR2G, NTMS5P02R2G, NTMS5P02R2SG, NTMS7N03R2G, NTMSD2P102LR2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48




