NTMS5835NLR2G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMS5835NLR2G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для NTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2G Datasheet (PDF)
ntms5835nlr2g.pdf
NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS
ntms5835nl.pdf
NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS
ntms5838nlr2g.pdf
NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 20 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)20 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit36.5 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage
ntms5838nl.pdf
NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 25 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)25 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit30.8 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918