NTMS5835NLR2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMS5835NLR2G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для NTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2G Datasheet (PDF)
ntms5835nlr2g.pdf

NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS
ntms5835nl.pdf

NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS
ntms5838nlr2g.pdf

NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 20 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)20 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit36.5 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage
ntms5838nl.pdf

NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 25 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)25 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit30.8 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage
Другие MOSFET... NTMS4872NR2G , NTMS4873NFR2G , NTMS4916NR2G , NTMS4917NR2G , NTMS4937NR2G , NTMS4939NR2G , NTMS4N01R2G , NTMS4P01R2 , IRF2807 , NTMS5838NLR2G , NTMS5P02R2G , NTMS5P02R2SG , NTMS7N03R2G , NTMSD2P102LR2 , NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ .
History: SIHB12N60E | SM8A01NSF | IPP600N25N3 | RUH85100M-C | 2N6800SM | NCE50N540F | KU390N10P
History: SIHB12N60E | SM8A01NSF | IPP600N25N3 | RUH85100M-C | 2N6800SM | NCE50N540F | KU390N10P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l