NTMS5838NLR2G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMS5838NLR2G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMS5838NLR2G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS5838NLR2G даташит

 ..1. Size:105K  onsemi
 ntms5838nlr2g.pdf pdf_icon

NTMS5838NLR2G

NTMS5838NL Power MOSFET 40 V, 7.5 A, 20 mW Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 20 mW @ 10 V 40 V 7.5 A Parameter Symbol Value Unit 36.5 mW @ 4.5 V Drain-to-Source Voltage

 4.1. Size:115K  onsemi
 ntms5838nl.pdf pdf_icon

NTMS5838NLR2G

NTMS5838NL Power MOSFET 40 V, 7.5 A, 25 mW Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 25 mW @ 10 V 40 V 7.5 A Parameter Symbol Value Unit 30.8 mW @ 4.5 V Drain-to-Source Voltage

 7.1. Size:105K  onsemi
 ntms5835nlr2g.pdf pdf_icon

NTMS5838NLR2G

NTMS5835NL Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 mW Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 10 mW @ 10 V 40 V 12 A Parameter Symbol Value Unit 14 mW @ 4.5 V Drain-to-Source Voltage VDSS

 7.2. Size:116K  onsemi
 ntms5835nl.pdf pdf_icon

NTMS5838NLR2G

NTMS5835NL Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 mW Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 10 mW @ 10 V 40 V 12 A Parameter Symbol Value Unit 14 mW @ 4.5 V Drain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMS4873NFR2G, NTMS4916NR2G, NTMS4917NR2G, NTMS4937NR2G, NTMS4939NR2G, NTMS4N01R2G, NTMS4P01R2, NTMS5835NLR2G, IRFZ24N, NTMS5P02R2G, NTMS5P02R2SG, NTMS7N03R2G, NTMSD2P102LR2, NTMSD3P102R2, NTMSD6N303R2, NTNS3164NZ, NTNS3193NZ