NTP5863NG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP5863NG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP5863NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP5863NG даташит

 ..1. Size:100K  onsemi
 ntp5863ng.pdf pdf_icon

NTP5863NG

NTP5863N N-Channel Power MOSFET 60 V, 97 A, 7.8 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 60 V 7.8 mW @ 10 V 97 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit D Drain-to-Source Voltage VDSS 6

 8.1. Size:101K  onsemi
 ntp5864ng.pdf pdf_icon

NTP5863NG

NTP5864N Power MOSFET 60 V, 63 A, 12.4 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Compliant 60 V 12.4 m @ 10 V 63 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) N-Channel Parameter Symbol Value Units D Dra

 8.2. Size:137K  onsemi
 ntd5862n ntp5862n.pdf pdf_icon

NTP5863NG

NTD5862N, NTP5862N MOSFET Power, N-Channel 60 V, 98 A, 5.7 mW Features www.onsemi.com Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX High Current Capability 60 V 5.7 mW @ 10 V 98 A 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Parameter Symbol Value Unit G Drain-t

 8.3. Size:113K  onsemi
 ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf pdf_icon

NTP5863NG

NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N N-Channel Power MOSFET 60 V, 220 A, 3.0 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested 60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring D Unique Site and Control Change

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTP45N06, NTP45N06L, NTP52N10, NTP5404NRG, NTP5411NG, NTP5412NG, NTP5426NG, NTP5860N, 50N06, NTP5864NG, NTP60N06, NTP60N06L, NTP6410ANG, NTP6411ANG, NTP6412ANG, NTP6413ANG, NTP65N02R