NTP65N02R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP65N02R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP65N02R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP65N02R даташит

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf pdf_icon

NTP65N02R

NTB65N02R, NTP65N02R Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK Features http //onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss 24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available* D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwis

Другие IGBT... NTP5863NG, NTP5864NG, NTP60N06, NTP60N06L, NTP6410ANG, NTP6411ANG, NTP6412ANG, NTP6413ANG, IRFZ44, NTP75N03-6G, NTP75N03L09, NTP75N03R, NTP75N06, NTP75N06L, NTP85N03, NTP8G202N, NTP8G206N