NTP65N02R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTP65N02R
Маркировка: 65N02R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: TO-220
NTP65N02R Datasheet (PDF)
..1. Size:73K onsemi
ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf
ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf
NTB65N02R, NTP65N02RPower MOSFET65 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatureshttp://onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available*DMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwis
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
