Справочник MOSFET. NTP65N02R

 

NTP65N02R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP65N02R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NTP65N02R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP65N02R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf pdf_icon

NTP65N02R

NTB65N02R, NTP65N02RPower MOSFET65 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatureshttp://onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available*DMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwis

Другие MOSFET... NTP5863NG , NTP5864NG , NTP60N06 , NTP60N06L , NTP6410ANG , NTP6411ANG , NTP6412ANG , NTP6413ANG , 10N60 , NTP75N03-6G , NTP75N03L09 , NTP75N03R , NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 , NTP8G202N , NTP8G206N .

History: IRF9410PBf | IRFB13N50A | WNM2046 | FQP2N40 | NTMFS6H836NLT1G | ME08N20 | STU9N65M2

 

 
Back to Top

 


 
.