NTR1P02L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTR1P02L 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTR1P02L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTR1P02L даташит
ntr1p02l nvtr01p02l.pdf
NTR1P02L, NVTR01P02L Power MOSFET -20 V, -1.3 A, P-Channel SOT-23 Package These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-
ntr1p02l nvtr01p02l.pdf
Product specification NTR1P02L, NVTR01P02L Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max -20 V, -1.3 A, P-Channel -20 V 220 mW @ -4.5 V -1.3 A SOT-23 Package P-Channel These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure D minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are DC-DC converters
ntr1p02lt1 ntr1p02lt1h.pdf
NTR1P02LT1, NTR1P02LT1H Power MOSFET -20 V, -1.3 A, P-Channel SOT-23 Package http //onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max for use in space sensitive power management circuitry. Typical -20 V 220 mW -1.3 A applications are DC-DC converters and power management i
ntr1p02lt1.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NTR1P02LT1 (KTR1P02LT1) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) =-20V ID =-1.3 A 1 2 RDS(ON) 220m (VGS =-4.5V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 RDS(ON) 350m (VGS =-2.5V) 1. Gate 2. Source D 3. Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating
Другие IGBT... NTP75N06, NTP75N06L, NTP85N03, NTP8G202N, NTP8G206N, NTP90N02, NTQS6463R2, NTR0202PLT1, IRFP250N, NTR1P02T1, NTR1P02T3, NTR2101PT1G, NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, NTR3A30PZ, NTR4003NT1G, NTR4101PT1G
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HM90N04D | NTP65N02R | SSW65R190S | VBE1307 | P5510EK | SI7621DN | APJ14N65P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516







