NTR1P02L - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTR1P02L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для NTR1P02L
NTR1P02L технические параметры
ntr1p02l nvtr01p02l.pdf
NTR1P02L, NVTR01P02L Power MOSFET -20 V, -1.3 A, P-Channel SOT-23 Package These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-
ntr1p02l nvtr01p02l.pdf
Product specification NTR1P02L, NVTR01P02L Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max -20 V, -1.3 A, P-Channel -20 V 220 mW @ -4.5 V -1.3 A SOT-23 Package P-Channel These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure D minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are DC-DC converters
ntr1p02lt1 ntr1p02lt1h.pdf
NTR1P02LT1, NTR1P02LT1H Power MOSFET -20 V, -1.3 A, P-Channel SOT-23 Package http //onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max for use in space sensitive power management circuitry. Typical -20 V 220 mW -1.3 A applications are DC-DC converters and power management i
ntr1p02lt1.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NTR1P02LT1 (KTR1P02LT1) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) =-20V ID =-1.3 A 1 2 RDS(ON) 220m (VGS =-4.5V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 RDS(ON) 350m (VGS =-2.5V) 1. Gate 2. Source D 3. Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating
Другие MOSFET... NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 , NTP8G202N , NTP8G206N , NTP90N02 , NTQS6463R2 , NTR0202PLT1 , IRF630 , NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G , NTR3161NT1G , NTR3162PT1G , NTR3A30PZ , NTR4003NT1G , NTR4101PT1G .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516








