NTR2101PT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTR2101PT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 289 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTR2101PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTR2101PT1G даташит

 ..1. Size:109K  onsemi
 ntr2101pt1g.pdf pdf_icon

NTR2101PT1G

NTR2101P Small Signal MOSFET -8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23 Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) http //onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) 39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device -8.0 V 52 mW @ -2.5 V -3.7 A Applications High Side Load Switch

 ..2. Size:906K  cn vbsemi
 ntr2101pt1g.pdf pdf_icon

NTR2101PT1G

NTR2101PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

 6.1. Size:113K  onsemi
 ntr2101p-d.pdf pdf_icon

NTR2101PT1G

NTR2101P Small Signal MOSFET -8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23 Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) http //onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) 39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device -8.0 V 52 mW @ -2.5 V -3.7 A Applications High Side Load Switch

 6.2. Size:96K  onsemi
 ntr2101p.pdf pdf_icon

NTR2101PT1G

NTR2101P Small Signal MOSFET -8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23 Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) 39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device -8.0 V 52 mW @ -2.5 V -3.7 A Applications 79 mW @ -1.8 V High Side

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTP8G202N, NTP8G206N, NTP90N02, NTQS6463R2, NTR0202PLT1, NTR1P02L, NTR1P02T1, NTR1P02T3, STP75NF75, NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, NTR3A30PZ, NTR4003NT1G, NTR4101PT1G, NTR4170NT1G, NTR4171PT1G, NTR4501NT1