Справочник MOSFET. NTR2101PT1G

 

NTR2101PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTR2101PT1G
   Маркировка: TR7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 289 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для NTR2101PT1G

 

 

NTR2101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  onsemi
 ntr2101pt1g.pdf

NTR2101PT1G NTR2101PT1G

NTR2101PSmall Signal MOSFET-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23Features Leading Trench Technology for Low RDS(on)http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AApplications High Side Load Switch

 ..2. Size:906K  cn vbsemi
 ntr2101pt1g.pdf

NTR2101PT1G NTR2101PT1G

NTR2101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 6.1. Size:113K  onsemi
 ntr2101p-d.pdf

NTR2101PT1G NTR2101PT1G

NTR2101PSmall Signal MOSFET-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23Features Leading Trench Technology for Low RDS(on)http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AApplications High Side Load Switch

 6.2. Size:96K  onsemi
 ntr2101p.pdf

NTR2101PT1G NTR2101PT1G

NTR2101PSmall Signal MOSFET-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23Features Leading Trench Technology for Low RDS(on)www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AApplications79 mW @ -1.8 V High Side

 6.3. Size:101K  tysemi
 ntr2101p.pdf

NTR2101PT1G NTR2101PT1G

Product specificationNTR2101PSmall Signal MOSFETV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max39 mW @ -4.5 V-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AFeatures79 mW @ -1.8 V Leading Trench Technology for Low RDS(on)P-Channel -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveD SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) This is a Pb-Free DeviceApplic

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top