NTR4101PT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTR4101PT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTR4101PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTR4101PT1G даташит

 ..1. Size:156K  onsemi
 ntr4101pt1g.pdf pdf_icon

NTR4101PT1G

NTR4101P, NTRV4101P Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23 Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive http //onsemi.com http //onsemi.com SOT-23 Surface Mount for Small Footprint AEC Q101 Qualified - NTRV4101P These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Applications 70 mW @

 6.1. Size:108K  onsemi
 ntr4101p.pdf pdf_icon

NTR4101PT1G

NTR4101P Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23 Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive http //onsemi.com http //onsemi.com SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Pb-Free Package is Available V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Applications 70 mW @ -4.5 V -20 V Load/Power Management for Portables 90 mW @ -2.5

 6.2. Size:78K  onsemi
 ntr4101p ntrv4101p.pdf pdf_icon

NTR4101PT1G

NTR4101P, NTRV4101P Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23 Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive www.onsemi.com www.onsemi.com SOT-23 Surface Mount for Small Footprint NTRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX

 6.3. Size:120K  tysemi
 ntr4101p ntrv4101p.pdf pdf_icon

NTR4101PT1G

Product specification NTR4101P, NTRV4101P Trench Power MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX -20 V, Single P-Channel, SOT-23 70 mW @ -4.5 V Features -20 V 90 mW @ -2.5 V -3.2 A Leading -20 V Trench for Low RDS(on) 112 mW @ -1.8 V -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint P-Channel MOSFET NTRV Prefix for Automotive and Other Applic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTR1P02L, NTR1P02T1, NTR1P02T3, NTR2101PT1G, NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, NTR3A30PZ, NTR4003NT1G, 2SK3878, NTR4170NT1G, NTR4171PT1G, NTR4501NT1, NTR4502PT1, NTR4503NT1, NTR5103N, NTR5105P, NTR5198NL