NTR4501NT1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTR4501NT1 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTR4501NT1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTR4501NT1 даташит
ntr4501nt1.pdf
NTR4501N, NSTR4501N Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching http //onsemi.com 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max (Note 1) NSTR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 70 mW @ 4.5 V 3.6 A Unique Site
ntr4501n nvr4501n.pdf
NTR4501N, NVR4501N MOSFET Power, Single, N-Channel, SOT-23 20 V, 3.2 A Features www.onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max (Note 1) SOT-23 Surface Mount for Small Footprint 70 mW @ 4.5 V 3.6 A NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 20 V Uniqu
ntr4501n.pdf
NTR4501N Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching http //onsemi.com 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (Note 1) Pb-Free Packages are Available 70 mW @ 4.5 V 3.6 A 20 V Applications 88 mW @ 2.5 V 3.1 A Load/P
ntr4501n.pdf
Product specification NTR4501N Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX (Note 1) 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 70 mW @ 4.5 V 3.6 A 20 V 85 mW @ 2.5 V 3.1 A Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching N-Channel 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive D SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Pb-Free Package is Available Applicat
Другие IGBT... NTR2101PT1G, NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, NTR3A30PZ, NTR4003NT1G, NTR4101PT1G, NTR4170NT1G, NTR4171PT1G, 13N50, NTR4502PT1, NTR4503NT1, NTR5103N, NTR5105P, NTR5198NL, NTRV4101P, NTS2101PT1, NTS4001NT1
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: MMBF4093 | IRF7752 | QM2402J | P7510EEU | APG60N10NF | APJ50N65P | 2SK1727
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632




