NTR4503NT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTR4503NT1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для NTR4503NT1
NTR4503NT1 Datasheet (PDF)
ntr4503nt1.pdf

NTR4503N, NVTR4503NPower MOSFET30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 4.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)http://onsemi.com AEC Q101 Qualified - NVTR4503N These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplic
ntr4503nt1g.pdf

NTR4503NT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
ntr4503n.pdf

NTR4503NPower MOSFET30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 4.5 V Rated for Low Voltage Gate Drivehttp://onsemi.com SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX85 mW @ 10 VApplications30 V 2.5 A DC-DC Conversion105 mW @ 4.5 V
ntr4503n nvtr4503n.pdf

NTR4503N, NVTR4503NPower MOSFET30 V, 2.5 A, Single N-Channel, SOT-23Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 4.5 V Rated for Low Voltage Gate Drivewww.onsemi.com SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXSite and Control Change Requi
Другие MOSFET... NTR3162PT1G , NTR3A30PZ , NTR4003NT1G , NTR4101PT1G , NTR4170NT1G , NTR4171PT1G , NTR4501NT1 , NTR4502PT1 , AON7410 , NTR5103N , NTR5105P , NTR5198NL , NTRV4101P , NTS2101PT1 , NTS4001NT1 , NTS4101PT1 , NTS4172NT1G .
History: IRFB830 | IRFAE50 | WMN90R360S | SWD5N65K | FDB86360F085 | SNN3100L15Q | SIA465EDJ
History: IRFB830 | IRFAE50 | WMN90R360S | SWD5N65K | FDB86360F085 | SNN3100L15Q | SIA465EDJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b