NTTFS4823NTAG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTTFS4823NTAG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS4823NTAG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTTFS4823NTAG даташит
nttfs4823ntag.pdf
NTTFS4823N Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 10.5 mW @ 10 V 30 V 50 A Applications 17.5 mW @
nttfs4823n.pdf
NTTFS4823N Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 10.5 mW @ 10 V 30 V 50 A Applications 17.5 mW @
nttfs4824n.pdf
NTTFS4824N Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 5.0 mW @ 10 V 30 V 69 A Applications 7.5 mW @ 4
nttfs4824ntag.pdf
NTTFS4824N Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 5.0 mW @ 10 V 30 V 69 A Applications 7.5 mW @ 4
Другие MOSFET... NTS4101PT1 , NTS4172NT1G , NTS4173PT1G , NTS4409N , NTTD4401FR2 , NTTFS3A08PZ , NTTFS3A08PZTAG , NTTFS4821NTAG , IRFP450 , NTTFS4824NTAG , NTTFS4928NTAG , NTTFS4929NTAG , NTTFS4930NTAG , NTTFS4932NTAG , NTTFS4937NTAG , NTTFS4939NTAG , NTTFS4941NTAG .
History: E10P02 | SI4447DY | APQ02SN65AH
History: E10P02 | SI4447DY | APQ02SN65AH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60






