Справочник MOSFET. NTY100N10

 

NTY100N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTY100N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-264
 

 Аналог (замена) для NTY100N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTY100N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  onsemi
 nty100n10.pdf pdf_icon

NTY100N10

NTY100N10Preferred Device Power MOSFET 123 A,100 V N-ChannelEnhancement-Mode TO264Packagehttp://onsemi.comFeatures123 A, 100 V Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteFast Recovery Diode9 mW @ VGS = 10 V (Typ) Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Pb-Free Package is Available*DAppl

Другие MOSFET... NTTFS4H05NTAG , NTTFS4H07N , NTTFS5116PLTAG , NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG , NTTFS5826NLTAG , NTTS2P02R2 , NTTS2P03R2 , IRFZ48N , NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , NTZS3151PT1G , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L .

History: IRFH5204 | CS3N70A3H-G | SWI110R06VT | G3035-23 | SJMN190R65B | RCD100N20 | HCCZ120R080H1

 

 
Back to Top

 


 
.