NTY100N10 - описание и поиск аналогов

 

NTY100N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTY100N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-264

Аналог (замена) для NTY100N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTY100N10 даташит

 ..1. Size:157K  onsemi
 nty100n10.pdf pdf_icon

NTY100N10

NTY100N10 Preferred Device Power MOSFET 123 A, 100 V N-Channel Enhancement-Mode TO264 Package http //onsemi.com Features 123 A, 100 V Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode 9 mW @ VGS = 10 V (Typ) Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature N-Channel Pb-Free Package is Available* D Appl

Другие MOSFET... NTTFS4H05NTAG , NTTFS4H07N , NTTFS5116PLTAG , NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG , NTTFS5826NLTAG , NTTS2P02R2 , NTTS2P03R2 , STP65NF06 , NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , NTZS3151PT1G , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L .

History: RTU002P02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.