Справочник MOSFET. NTY100N10

 

NTY100N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTY100N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTY100N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  onsemi
 nty100n10.pdf pdf_icon

NTY100N10

NTY100N10Preferred Device Power MOSFET 123 A,100 V N-ChannelEnhancement-Mode TO264Packagehttp://onsemi.comFeatures123 A, 100 V Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteFast Recovery Diode9 mW @ VGS = 10 V (Typ) Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Pb-Free Package is Available*DAppl

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSF11NS70UF | SWF13N60K2 | SI4368DY | APQ12SN60AF | WMO60N04T1 | SWK15N04V | P2610ADG

 

 
Back to Top

 


 
.