Справочник MOSFET. FNK30H150

 

FNK30H150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FNK30H150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FNK30H150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FNK30H150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  fnk
 fnk30h150.pdf pdf_icon

FNK30H150

FNK30H150Enhancement Mode Power MOSFET FNK N-Channel Description The uses advanced trench technology and FNK30H150design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

Другие MOSFET... 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG , MMD60R360PRH , GPT09N50 , GPT09N50D , HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , HY1707PS .

 

 
Back to Top

 


 
.