Справочник MOSFET. HY1707B

 

HY1707B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1707B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HY1707B

 

 

HY1707B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:6931K  hymexa
 hy1707.pdf

HY1707B HY1707B

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 70V/80A,RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10VS Avalanche Rated DSD GGS Reliable and Rugged S DDGGTO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGS D SDGGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-220MF-3LD Power Man

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top