Справочник MOSFET. WMH07N65C2

 

WMH07N65C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMH07N65C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-251S2
 

 Аналог (замена) для WMH07N65C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMH07N65C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  way-on
 wml07n65c2 wmh07n65c2 wmm07n65c2 wmo07n65c2 wmp07n65c2 wmg07n65c2.pdf pdf_icon

WMH07N65C2

WML0 MM07N65C07N65C2, WMH07N65C2, WM C2 WMO0 MG07N65C07N65C2, WMP07N65C2, WM C2 650 Junction ET0V 1.0 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce. TO-220F TO TO-25

Другие MOSFET... LTP70N06 , ME7170-G , TP0610T , WML07N65C2 , WMM07N65C2 , WMO07N65C2 , WMP07N65C2 , WMG07N65C2 , IRFP460 , 3N155 , 3N156 , 3N172 , 3N173 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F .

History: SI4831DY

 

 
Back to Top

 


 
.