8N80A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 8N80A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
8N80A Datasheet (PDF)
8n80a 8n80af 8n80b.pdf
RoHS 8N80 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8A, 800Volts)DESCRIPTION The Nell 8N80 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 8A,fast switching speed, low on-state resistance,Dbreakdown voltage rating of 800V ,and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications. suchas sw
ssf8n80a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu
ssh8n80a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918