AMD532C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMD532C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm

Тип корпуса: TO-252AD-5

Аналог (замена) для AMD532C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMD532C даташит

 ..1. Size:140K  analog power
 amd532c.pdf pdf_icon

AMD532C

Analog Power AMD532C P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 95 @ V = 2.5V 20 GS 30 converters and power management in portable and 59 @ V = 4.5V 24 GS

 9.1. Size:234K  analog power
 amd533ce.pdf pdf_icon

AMD532C

Analog Power AMD533CE P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 45 @ V = 4.5V 29 GS 30 converters and power management in portable and 35 @ V = 10V 36 GS

 9.2. Size:79K  analog power
 amd534c.pdf pdf_icon

AMD532C

Analog Power AMD534C P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m ) ID (A) ( rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 39 @ V = 4.5V 30 GS 30 converters and power management in portable and 29 @ V = 10V 36 G

 9.3. Size:140K  analog power
 amd530c.pdf pdf_icon

AMD532C

Analog Power AMD530C P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 45 @ V = 2.5V 29 GS 30 converters and power management in portable and 35 @ V = 4.5V 36 GS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE, AMCC924NE, AMD510C, AMD530C, AMD531C, IRFB4115, AMD533CE, AMD534C, AMD534CE, AMD540CE, AMF920NE, AMF922NE, AMF924NE, AMR430N