SDF4N100JAB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF4N100JAB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 120(max) nC
   Время нарастания (tr): 60(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 100 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF440 , SDF450JAA , SDF450JAB , SDF460JEA , SDF460JEB , SDF460JEC , SDF460JED , SDF4N100JAA , CS150N04A8 , SDF4N60 , SDF4N90JAA , SDF4N90JAB , SDF4NA100 , SDF4NA100SXH , SDF50N40JAM , SDF50NA20GBF , SDF5N100JAA .