Справочник MOSFET. AMR496N

 

AMR496N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMR496N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AMR496N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMR496N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  analog power
amr496n.pdfpdf_icon

AMR496N

Analog Power AMR496NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)65 @ VGS = 10V7.2 Low thermal impedance 15075 @ VGS = 5.5V6.7 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits ABSOLU

 9.1. Size:315K  analog power
amr490n.pdfpdf_icon

AMR496N

Analog Power AMR490NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)150 @ VGS = 10V4.8 Low thermal impedance 150170 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

 9.2. Size:317K  analog power
amr494n.pdfpdf_icon

AMR496N

Analog Power AMR494NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)160 @ VGS = 10V4.6 Low thermal impedance 150180 @ VGS = 5.5V4.4 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

 9.3. Size:315K  analog power
amr492n.pdfpdf_icon

AMR496N

Analog Power AMR492NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)140 @ VGS = 10V4.9 Low thermal impedance 150160 @ VGS = 4.5V4.6 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

Другие MOSFET... AMF924NE , AMR430N , AMR432N , AMR434N , AMR460N , AMR490N , AMR492N , AMR494N , AO3400 , AMR860N , AMR930N , AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J .

History: FP10W90HVX2 | AM90P04-03P | HM2P10R | HM3307B | SIR474DP | APT17F100B | H2302A

 

 
Back to Top

 


 
.