SDF4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF4N60 даташит

 ..1. Size:165K  solitron
 sdf4n60.pdf pdf_icon

SDF4N60

 9.1. Size:68K  solitron
 sdf4na100.pdf pdf_icon

SDF4N60

 9.2. Size:166K  solitron
 sdf4n90.pdf pdf_icon

SDF4N60

 9.3. Size:168K  solitron
 sdf4n100.pdf pdf_icon

SDF4N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF450JAA, SDF450JAB, SDF460JEA, SDF460JEB, SDF460JEC, SDF460JED, SDF4N100JAA, SDF4N100JAB, AOD4184A, SDF4N90JAA, SDF4N90JAB, SDF4NA100, SDF4NA100SXH, SDF50N40JAM, SDF50NA20GBF, SDF5N100JAA, SDF5N100JAB